Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -16,7А; Idm: -80А

Немає в наявності
Код товару: SI8851EDB-T2-E1
15,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI8851EDB-T2-E1
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 180нКл
Корпус: MICROFOOT®
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 18,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,1Вт
Струм стока: -16,7А
Струм стоку в імпульсі: -80А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 680мкФ; 4ВDC; SMD; D; 2917; ±10%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 680мкФ; 4ВDC; SMD; D; 2917; ±10%; -55÷125°C

224,91 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
680мкФ
Корпус:
D
Корпус - дюйм:
2917
Недоступний
Алмазна пила; Ø: 30мм; кераміка,глазурі; M14
Алмазна пила; Ø: 30мм; кераміка,глазурі; M14

960,47 грн

Використання інструментів:
глазурі; кераміка
Діаметр:
30мм
Розмір гнізда тримача - різьба:
M14
Тип аксесуарів для електричних інструментів:
алмазна пила
Недоступний
Резистор: thin film; 150Ом; SMD; 0805; 200мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thin film; 150Ом; SMD; 0805; 200мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

1,06 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; SMT; 3A; 250V

136,21 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Висота:
11,6мм
Недоступний
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В

0,05 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 75А; Idm: 360А; 3,2Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 75А; Idm: 360А; 3,2Вт; TO252

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
TO252
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: -5ВDC; Uвих.2: 5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: -5ВDC; Uвих.2: 5ВDC

911,05 грн

Вихідна напруга:
-5В DC
Вихідна напруга 2:
5В DC
Вихідний струм:
-800мА
Вхідна напруга:
9...36В DC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8