1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А
Немає в наявності
Код товару: SI7623DN-T1-GE3
25,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7623DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 180нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 52Вт
Струм стока: -35А
Струм стоку в імпульсі: -80А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 15,4кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 15,4кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7А; 1,6Вт; SO8

96,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -40А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -40А; 3,8Вт; D2PAK

130,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5А; 1,6Вт; PG-DSO-8

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2Вт; SO8

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1А; 220мВт; SOT323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1А; 220мВт; SOT323

19,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD