1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -35А; Idm: -60А

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -35А; Idm: -60А
Немає в наявності
Код товару: SI7143DP-T1-GE3
31,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7143DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 71нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 18,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 35,7Вт
Струм стока: -35А
Струм стоку в імпульсі: -60А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SMD; 40В; 2,6А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; SMD; 40В; 2,6А; ролик,cтрічка

20,27 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
340пФ
Зворотна напруга макс.:
40В
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 221кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 221кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Конденсатор: керамічний; 27пФ; 50ВDC; ±5%; SMD; 0,5мм
Конденсатор: керамічний; 27пФ; 50ВDC; ±5%; SMD; 0,5мм

0,15 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
27пФ
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
50В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD

0,73 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thin film; 1,2кОм; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 1,2кОм; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%

2,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 1; 6,5÷16ВDC; DIP14; 130дБ
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 1; 6,5÷16ВDC; DIP14; 130дБ

272,43 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output; zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля:
5мкВ
Діапазон напруги живлення:
6,5...16В DC
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 64МГц; 1,8÷5,5ВDC; SMD; VQFN48; PIC18; туба
IC: мікроконтролер PIC; 64МГц; 1,8÷5,5ВDC; SMD; VQFN48; PIC18; туба

98,83 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CCP x3; CLC x8; CRC; DMAC x6; HLVD; PoR; PPS; watchdog; XLP; zero cross detect
Інтерфейс:
I2C; LIN; RS232; RS485; SPI x2; UART x5
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,5А; Idm: -30А; 1,9Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,5А; Idm: -30А; 1,9Вт; SO8

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -820мА; Idm: -4А; 490мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -820мА; Idm: -4А; 490мВт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
1,5нКл
Корпус:
X1-DFN1212-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А; 52Вт; QFN3X3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А; 52Вт; QFN3X3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт

28,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -2,5А; Idm: -10А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -2,5А; Idm: -10А

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SOT23