Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -50А; Idm: -70А

Немає в наявності
Код товару: SI7149DP-T1-GE3
52,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7149DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 147нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 5,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 44,4Вт
Струм стока: -50А
Струм стоку в імпульсі: -70А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 910кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; 50В
Резистор: thick film; 910кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; 50В

0,03 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Вимикач максимального струму; Uном: 240ВAC; 28ВDC; 7А; SPST; IP40
Вимикач максимального струму; Uном: 240ВAC; 28ВDC; 7А; SPST; IP40

1395,72 грн

Виводи:
конектори
Діелектрична міцність:
1,5кВ AC
Довжина гвинта:
10мм
Застосування вимикачів:
для захисту побутових приладів; для захисту промислових пристроїв
Недоступний
Резистор: thick film; 22кОм; 0201; 50мВт; ±1%; AF; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22кОм; 0201; 50мВт; ±1%; AF; -55÷155°C

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
0,6x0,3мм
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 3A; 250V

340,22 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 1N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 1N; push-in; 30mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
3мм
Недоступний
Резистор: thick film; 280кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 280кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; гніздовий; прямий; Дл: 500мм; вилка
Кабель: до датчиків; PIN: 4; гніздовий; прямий; Дл: 500мм; вилка

3217,19 грн

Довжина кабелю:
0,5м
Довжина проводу:
0,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -120А; 40Вт; QFN3X3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -120А; 40Вт; QFN3X3

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
30нКл
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -18А; Idm: -100А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -18А; Idm: -100А

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
10нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А; 225мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А; 225мВт

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,65нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -11,5А; Idm: -46А; 3,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -11,5А; Idm: -46А; 3,5Вт

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DFN2020-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -95А; Idm: -380А; 162,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -95А; Idm: -380А; 162,3Вт

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
58,4нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -35А; Idm: -140А; 58Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -35А; Idm: -140А; 58Вт; TO252

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
TO252