Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -50А; Idm: -70А

Немає в наявності
Код товару: SI7149DP-T1-GE3
52,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7149DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 147нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 5,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 44,4Вт
Струм стока: -50А
Струм стоку в імпульсі: -70А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 11A/250ВAC; 0,6A/125ВDC; SPST-NO
Мікроперемикач SNAP ACTION; 11A/250ВAC; 0,6A/125ВDC; SPST-NO

50,05 грн

Виводи:
конектори
Властивості перемикачів:
з важелем, що симулює ролик
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Резистор: thin film; 680Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; ERA6AED
Резистор: thin film; 680Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; ERA6AED

3,21 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 1,1А; Iмакс: 40А; 2920
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 1,1А; Iмакс: 40А; 2920

10,39 грн

Зовнішні розміри:
7,98x5,44x3,18мм
Корпус - дюйм:
2920
Корпус - мм:
7555
Максимальна напруга:
33В
Недоступний
Вольтметр; на панель; ВAC: 0÷300В; Клас: 1,5; True RMS; 40÷72Гц
Вольтметр; на панель; ВAC: 0÷300В; Клас: 1,5; True RMS; 40÷72Гц

3440,83 грн

Вимір:
напруги AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Відповідність стандарту:
EN 61000-6-2; EN 61000-6-4; EN 61010-1
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 76; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 76; THT; straight

112,77 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
26,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 8,2Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2CF
Резистор: thick film; 8,2Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2CF

2,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Вольтметр; на панель; ВAC: 0÷500В; Клас: 1,5; True RMS; 40÷72Гц
Вольтметр; на панель; ВAC: 0÷500В; Клас: 1,5; True RMS; 40÷72Гц

3044,86 грн

Вимір:
напруги AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Відповідність стандарту:
EN 61000-6-2; EN 61000-6-4; EN 61010-1
Властивості шкали:
робоче положення 30°
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8