Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -1,7А; Idm: -6,8А

Немає в наявності
Код товару: SQ2309ES-T1_GE3
29,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SQ2309ES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 8,5нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 704мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: -1,7А
Струм стоку в імпульсі: -6,8А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 13пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 13пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 820пФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 820пФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0201

0,04 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,57 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,3пФ
Діод: TVS; 3кВт; 31,1В; 66,1А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 3кВт; 31,1В; 66,1А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

56,39 грн

Зворотна напруга макс.:
28В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; SMD; 1008; 2,2мкГн; Iробочий: 2,3А; ±20%; Isat: 3А
Реактор: дротяний; SMD; 1008; 2,2мкГн; Iробочий: 2,3А; ±20%; Isat: 3А

15,78 грн

Виводи:
паяльні пункти
Високосортність:
39
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Недоступний
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 14; SEK; straight; 1A; THT
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 14; SEK; straight; 1A; THT

108,97 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
SEK-18 SV MA STD STR45 RLG 14P PL3
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
4,5мм
Недоступний
Резистор: thin film; 1,2кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±1%
Резистор: thin film; 1,2кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±1%

0,36 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -7А; TSMT8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -7А; TSMT8

30,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт

17,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Опір в стані провідності:
0,105Ом
Транзистор: P-MOSFET; -800мА
Транзистор: P-MOSFET; -800мА

4,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Струм стока:
-0,8А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -85А; 75Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -85А; 75Вт

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -50А; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -50А; DPAK

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5,5А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5,5А

14,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-20В
Опір в стані провідності:
29,8мОм
Транзистор: P-MOSFET; -12В; -4,8А
Транзистор: P-MOSFET; -12В; -4,8А

16,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-12В
Струм стока:
-4,8А