Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -6,46А; Idm: -20А

Немає в наявності
Код товару: SQA411CEJW-T1_GE3
11,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQA411CEJW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 15,5нКл
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 326,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 13,6Вт
Струм стока: -6,46А
Струм стоку в імпульсі: -20А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 64МбFLASH; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO16
IC: пам'ять FLASH; 64МбFLASH; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO16

221,74 грн

Вид пам’яті:
NOR
Інтерфейс:
SDI; SPI; SQI
Корпус:
SO16
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 15Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 15Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

5,83 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 80В; DIP4
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 80В; DIP4

9,50 грн

CTR@If:
20-300%@1mA
Вид виходу:
транзисторний
Кількість каналів:
1
Корпус:
DIP4
Недоступний
Резистор: thin film; 53,6кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 53,6кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В

0,56 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: електролітичний; THT; 10мкФ; 250ВDC; Ø10x12мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 10мкФ; 250ВDC; Ø10x12мм; ±20%

5,70 грн

Висота:
12мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,8пФ
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; неекранований; вилка; 250В; 4А; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; неекранований; вилка; 250В; 4А; PUR

831,22 грн

Довжина проводу:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR; ПВХ
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12,6А; Idm: -32А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12,6А; Idm: -32А

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
10нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А; 225мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А; 225мВт

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,65нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -11,5А; Idm: -46А; 3,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -11,5А; Idm: -46А; 3,5Вт

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DFN2020-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -95А; Idm: -380А; 162,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -95А; Idm: -380А; 162,3Вт

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
58,4нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -35А; Idm: -140А; 58Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -35А; Idm: -140А; 58Вт; TO252

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -30А; Idm: -120А; 29,7Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -30А; Idm: -120А; 29,7Вт

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
PDFN3030-8