Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -200В; -32А; 300Вт; TO263

Немає в наявності
Код товару: IXTA32P20T
549,29 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTA32P20T
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 185нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±15В
Напруга сток-джерело: -200В
Опір в стані провідності: 0,13Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: -32А
Технологія: TrenchP™
Тип транзистора: P-MOSFET
Час готовності: 190нс
Недоступний
Резистор: thin film; 143Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 143Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

47,52 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; SMT; 3A; 250V

43,72 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Довжина контакту:
6,7мм
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 3; 2м; вилка; 766; ПВХ; автоматика
Кабель: до датчиків; PIN: 3; 2м; вилка; 766; ПВХ; автоматика

359,86 грн

Довжина кабелю:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
3
Призначення телефонного кабелю:
автоматика
Недоступний
Резистор: thin film; 15кОм; прецизійний; SMD; 1206; 0,25Вт; ±0,1%
Резистор: thin film; 15кОм; прецизійний; SMD; 1206; 0,25Вт; ±0,1%

8,11 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,12А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,12А; 0,36Вт; SOT23

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -125мА; Idm: -1,2А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -125мА; Idm: -1,2А; 1,6Вт

91,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -100А; 125Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -100А; 125Вт; PG-TDSON-8

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

95,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD