1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -5,5А; Idm: -18А; 1,5Вт

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -12В; -5,5А; Idm: -18А; 1,5Вт
Немає в наявності
Код товару: QS8J13TR
68,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: QS8J13TR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 60нКл
Корпус: TSMT8
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 58мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: -5,5А
Струм стоку в імпульсі: -18А
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Діод: випрямний; THT; 600В; 30А; Ifsm: 360А; MTO3PT; Ufmax: 1,1В
Діод: випрямний; THT; 600В; 30А; Ifsm: 360А; MTO3PT; Ufmax: 1,1В

51,32 грн

Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
MTO3PT
Монтаж:
THT
Пряма напруга макс.:
1,1В
Резистор: вуглецевий; 3,9кОм; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,46x28мм
Резистор: вуглецевий; 3,9кОм; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,46x28мм

1,24 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Резистор: thick film; 80,6кОм; 1206; 250мВт; ±1%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 80,6кОм; 1206; 250мВт; ±1%; AC; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,1x1,6мм
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 1206

5,26 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 12÷86ВDC; Iвх: 2,8А
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 12÷86ВDC; Iвх: 2,8А

617,71 грн

Використання:
LED
Вихідна напруга:
12...86В DC
Вихідний струм:
0,35А
Властивості блоків перетворювачів:
PWM-димминг
Недоступний
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 2010; 500мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 2010; 500мВт; ±5%; CQ; 200В

0,92 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Резистор: thin film; 365Ом; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 365Ом; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SuperSOT-6