Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -2,2А; 0,96Вт; SuperSOT-6

Немає в наявності
Код товару: FDC6310P
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDC6310P
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SuperSOT-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 184мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,96Вт
Струм стока: -2,2А
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thin film; 1,6кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 1,6кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Резистор: thick film; 110кОм; 2512; 1Вт; ±1%; RC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 110кОм; 2512; 1Вт; ±1%; RC; -55÷155°C

1,67 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Опір:
110кОм
NPT3/8"; IP54; PVDF; natural; HSK-K-PVDF; Cable gland: cable
NPT3/8"; IP54; PVDF; natural; HSK-K-PVDF; Cable gland: cable

195,77 грн

Вид різьблення:
дюймове
Довжина гвинта:
15мм
Зовнішній діаметр проводу:
2...6мм
Клас герметичності:
IP54
Недоступний
Резистор: thick film; 19,6Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 19,6Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 800В; 1А; 35нс; DO214AC,SMA; Ufmax: 2,2В
Діод: випрямний; SMD; 800В; 1А; 35нс; DO214AC,SMA; Ufmax: 2,2В

8,43 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
DO214AC; SMA
Монтаж:
SMD
Нагрівальний елемент: обігрівач; обігрівна; S4; 125Вт; 24ВAC; IP54
Нагрівальний елемент: обігрівач; обігрівна; S4; 125Вт; 24ВAC; IP54

3835,53 грн

Виводи:
кабель 3x0,75мм2
Зовнішні розміри:
153x75x45мм
Клас герметичності:
IP54
Матеріал:
кераміка
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1000мкФ; 25ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1000мкФ; 25ВDC; ±20%

65,89 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
12,5мм
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 50/-60В; 350мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 50/-60В; 350мВт

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,95/1,1нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 7А; Idm: 28А; 2Вт; TSSOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 7А; Idm: 28А; 2Вт; TSSOP8

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,8нКл
Корпус:
TSSOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 32А; Idm: 128А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 65В; 32А; Idm: 128А; 25Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 10А; Idm: 40А; 3Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 10А; Idm: 40А; 3Вт; SOP8

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
25,8нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,4Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,4Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4/7нКл
Транзистор: P-MOSFET x2; -20В; -3А; 2Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; -20В; -3А; 2Вт

16,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Напруга сток-джерело:
-20В
Транзистор: N/P-MOSFET
Транзистор: N/P-MOSFET

15,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Тип транзистора:
N/P-MOSFET