Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SO8

Name: Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SO8
Brand: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
SKU: AOSD21311C
Price: 15.84 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: AOSD21311C

15,84 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

AOSD21311C

Виробник:

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

12,5нКл

Корпус:

SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

-30В

Опір в стані провідності:

42мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

1,1Вт

Струм стока:

-5А

Струм стоку в імпульсі:

-20А

Тип транзистора:

P-MOSFET x2

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TSOP-6

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±12В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
13,6нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
додаткова пара

Заряд затвора:
3,8/7,4нКл

Корпус:
TO252-4

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
0,7нКл

Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6

Бажані

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
5,1нКл

Корпус:
UF6