Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; польовий; -20В; -300мА; Idm: -2А

Немає в наявності
Код товару: PMDXB950UPEZ
24,71 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PMDXB950UPEZ
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 2,1нКл
Корпус: DFN1010B-6; SOT1216
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 2,1Ом
Поляризація: польовий
Струм стока: -300мА
Струм стоку в імпульсі: -2А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Недоступний
IC: цифровий потенціометр; I2C; 100кОм; 8бит; MSOP10; SMD; Ch: 1
IC: цифровий потенціометр; I2C; 100кОм; 8бит; MSOP10; SMD; Ch: 1

148,25 грн

Max DNL:
±0,4LSB
Max INL:
±0,5LSB
Вид пам’яті:
енергозал.
Інтерфейс:
I2C
Недоступний
Осердя: феритовий; E; 145нГн; 72,1см3; 3,89см2; A: 80мм; Б: 38,1мм
Осердя: феритовий; E; 145нГн; 72,1см3; 3,89см2; A: 80мм; Б: 38,1мм

267,36 грн

Вимір D:
28,1мм
Ефективний об'єм осердя (Ve):
72,1см3
Ефективний переріз осердя (Ae):
3,89см2
Кількість в наборі/упаковці:
1шт.
Конденсатор: керамічний; 68нФ; 50В; BX; ±10%; SMD; 1808
Конденсатор: керамічний; 68нФ; 50В; BX; ±10%; SMD; 1808

77,93 грн

Діелектрик:
BX
Допуск:
±10%
Ємність:
68нФ
Корпус - дюйм:
1808
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 03015; 9,1нГн; 400мА; R: 0,16Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 03015; 9,1нГн; 400мА; R: 0,16Ом; LQW; 180мм

4,24 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,2нГн
Індуктивність:
9,1нГн
Корпус - дюйм:
03015
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD

47,52 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: metal film; 82,5Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 82,5Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

38,01 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Connector: FFC/FPC; data; tinned; SMT; PIN: 16; copper; 1mm; ZIF; 30mΩ
Connector: FFC/FPC; data; tinned; SMT; PIN: 16; copper; 1mm; ZIF; 30mΩ

24,46 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
16
Матеріал контакту:
мідь
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,4Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,4Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4/7нКл
Транзистор: P-MOSFET x2; -20В; -3А; 2Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; -20В; -3А; 2Вт

16,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Напруга сток-джерело:
-20В
Транзистор: N/P-MOSFET
Транзистор: N/P-MOSFET

15,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Тип транзистора:
N/P-MOSFET
Транзистор: N/P-MOSFET; 40В; 20Вт; HSOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 40В; 20Вт; HSOP8

35,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,44Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6,5А; 1,44Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 1,12Вт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT26
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 1,56Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8