1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; польовий; -20В; -300мА; Idm: -2А

Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; польовий; -20В; -300мА; Idm: -2А
Немає в наявності
Код товару: PMDXB950UPEZ
24,71 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PMDXB950UPEZ
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 2,1нКл
Корпус: DFN1010B-6; SOT1216
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 2,1Ом
Поляризація: польовий
Струм стока: -300мА
Струм стоку в імпульсі: -2А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thin film; 3,48кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 3,48кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
IC: цифровий; NOT; Ch: 1; CMOS; SMD; SOT5X3; 2÷5,5ВDC; -40÷125°C; AHC
IC: цифровий; NOT; Ch: 1; CMOS; SMD; SOT5X3; 2÷5,5ВDC; -40÷125°C; AHC

17,74 грн

Вид входу:
з тригером Шмітта
Вид затвору:
NOT
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
single; 1
Недоступний
Пристискний контакт; AAA,AAAA,N; К-сть бат: 2; втискуваний
Пристискний контакт; AAA,AAAA,N; К-сть бат: 2; втискуваний

18,12 грн

Кількість батарей:
2
Монтаж:
втискуваний
Розмір осередку:
AAA; AAAA; N
Тип аксесуарів батарей:
пристискний контакт
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 0,3м; вилка; 230ВDC; 230ВAC; 4А
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 0,3м; вилка; 230ВDC; 230ВAC; 4А

779,90 грн

Довжина кабелю:
0,3м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67; IP68; IP69K
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Діод: випрямний таблетковий; 2,4кВ; 6,52кА; Ø101,5/Ø63мм
Діод: випрямний таблетковий; 2,4кВ; 6,52кА; Ø101,5/Ø63мм

28037,92 грн

Зворотна напруга макс.:
2,4кВ
Монтаж:
Press-Pack
Поріг напруги спрацьовування:
0,87В
Розміри корпусу:
Ø101,5/Ø63мм
Недоступний
Резистор: metal film; 82,5Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 82,5Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

38,01 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Резистор: thin film; 2кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±0,1%; ERA1AEB
Резистор: thin film; 2кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±0,1%; ERA1AEB

3,45 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,51А; 0,96Вт; SuperSOT-6

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,44Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,5/6,7нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 1,3Вт; SO8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,2Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SuperSOT-6