Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; польовий; -30В; -16А; 3Вт; SOP8

Немає в наявності
Код товару: G120P03S2
46,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G120P03S2
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 35нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3Вт
Струм стока: -16А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603

4,43 грн

Alias:
KAM15AR72A103KM
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0402

3,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
22нФ
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 430Ом; THT; 250мВт; ±5%; 250В; Ш0,54x28мм
Резистор: вуглецевий; 430Ом; THT; 250мВт; ±5%; 250В; Ш0,54x28мм

0,37 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Вим: 5x3,2мм; 18пФ; SMD; ESR: 30Ом; 5x3,2x0,9мм; 25МГц; -40÷125°C
Вим: 5x3,2мм; 18пФ; SMD; ESR: 30Ом; 5x3,2x0,9мм; 25МГц; -40÷125°C

0,00 грн

Допуск резонаторів:
±10ppm
Ємність:
18пФ
Монтаж:
SMD
Опір ESR:
30Ом
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 200Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 40А; DIP
Перетворювач: DC/DC; 200Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 40А; DIP

3750,64 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
40А
Вхідна напруга:
36...75В DC
Зовнішні розміри:
58,4x22,9x11,4мм
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 11В; DO35; одиночний діод
Діод: зенера; 0,5Вт; 11В; DO35; одиночний діод

1,63 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
11В
Корпус:
DO35
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 649кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 649кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,1нКл
Корпус:
UF6