Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; польовий; -60В; -3,2А; 2Вт; SOP8

Немає в наявності
Код товару: G1K8P06S2
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G1K8P06S2
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 11,3нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: -3,2А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
68пФ
Резистор: thick film; 51Ом; 0603; 100мВт; ±1%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 51Ом; 0603; 100мВт; ±1%; AC; -55÷155°C

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,6x0,8мм
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; CRGH
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; CRGH

8,81 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8пФ
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: thin film; 51,1кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 51,1кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

48,15 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thick film; 13,3кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 13,3кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Connector: pin strips; male; data; PIN: 4; SMT; 2mm; UL94V-0
Connector: pin strips; male; data; PIN: 4; SMT; 2mm; UL94V-0

16,41 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
4
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,1нКл
Корпус:
UF6