Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -10А

Немає в наявності
Код товару: SI5935CDC-T1-GE3
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI5935CDC-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 11нКл
Корпус: ChipFET8
Корпус - дюйм: 1206
Корпус - мм: 3216
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 156мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: -4А
Струм стоку в імпульсі: -10А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; SMT; 3A; 100V

194,50 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 2,74кОм; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF
Резистор: thick film; 2,74кОм; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 1кВ; 1А; 75нс; thinSMA; Ufmax: 1,7В
Діод: випрямний; SMD; 1кВ; 1А; 75нс; thinSMA; Ufmax: 1,7В

18,37 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
супер швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
1кВ
Недоступний
Антена: комунікаційна; ISM; лінійна; 50Ом; 863÷928МГц; IPEX
Антена: комунікаційна; ISM; лінійна; 50Ом; 863÷928МГц; IPEX

151,42 грн

Type of antenna:
communication
Вид антени:
ISM
Довжина кабелю:
0,15м
Імпеданс:
50Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

3,22 грн

Alias:
KGQ15ACG2D2R2BT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 75А; Iвих: 1А; 1@max1ВА,3@max1,5ВА
Трансформатор: струмовий; Iвх: 75А; Iвих: 1А; 1@max1ВА,3@max1,5ВА

1346,30 грн

Вихідний струм:
1А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
75А
Діаметр внутрішній:
26мм
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 16бит; 184sps; 2,7÷5,5В; SOT23-6
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 16бит; 184sps; 2,7÷5,5В; SOT23-6

0,00 грн

Вид входу:
differential; single-ended
Властивості інтегральних мікросхем:
delta-sigma
Інтерфейс:
2-wire; I2C
Кількість каналів:
1
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; польовий; 20В; 5А; 1,6Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 55/-55В; 4,7/-3,4А; 2Вт; SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 8А; 1,3Вт; SO8

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
3,8/7,4нКл
Корпус:
TO252-4
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,21А; 320мВт

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 1,6А; 0,5Вт; UF6

5,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,1нКл
Корпус:
UF6