1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -60В; -3,2А; 0,94Вт

Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -60В; -3,2А; 0,94Вт
Немає в наявності
Код товару: SI7949DP-T1-E3
36,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7949DP-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 40нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 64мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,94Вт
Струм стока: -3,2А
Струм стоку в імпульсі: -25А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 5÷30мм; PNP; LIGHT-ON; 50мА
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 5÷30мм; PNP; LIGHT-ON; 50мА

1789,16 грн

Властивості датчиків:
виявляють прозорі об'єкти
Дальність:
5...30мм
Довжина відводів:
2м
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: thick film; 240кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 240кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Вимикач максимального струму; 230ВAC; Iном: 32А; Полюси: 1; 6кА
Вимикач максимального струму; 230ВAC; Iном: 32А; Полюси: 1; 6кА

520,78 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Кількість полюсів:
1
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 10А; Idm: 28А; 73,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 10А; Idm: 28А; 73,5Вт

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
DPAK; TO252AA
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 500В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1111
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 500В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1111

50,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thin film; 680Ом; 0805; 125мВт; ±0,1%; ARM-A; 10ppm/°C
Резистор: thin film; 680Ом; 0805; 125мВт; ±0,1%; ARM-A; 10ppm/°C

5,26 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
680Ом
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 3,3мкФ; 250ВDC; 17,5мм; ±10%; ECQE; THT
Конденсатор: поліестровий; 3,3мкФ; 250ВDC; 17,5мм; ±10%; ECQE; THT

53,22 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
3,3мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
17,5мм
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 12/14А; 9/10Вт; DFN3x3A

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,9/6нКл
Корпус:
DFN3x3A
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 0,35/-0,2А; 990мВт

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,68/0,72нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363; ESD

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT363
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А
Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; польовий; 500В; 13А; Idm: 55А

791,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
ISOPLUS i4-pac™ x024a
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,212А; 0,25Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,212А; 0,25Вт

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC70-6; SC88; SOT363
Монтаж:
SMD