1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 13А; Idm: 52А; 25Вт; TO220FP

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 13А; Idm: 52А; 25Вт; TO220FP
Немає в наявності
Код товару: STF16N50M2
128,61 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STF16N50M2
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 19,5нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,28Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 25Вт
Струм стока: 13А
Струм стоку в імпульсі: 52А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Ланцюгова напрямна; E2.26; Рад.заг: 48мм; L: 1012мм
Ланцюгова напрямна; E2.26; Рад.заг: 48мм; L: 1012мм

3473,14 грн

Внутрішня висота:
26мм
Внутрішня ширина:
77мм
Довжина:
1012мм
Зовнішня висота:
35мм
Недоступний
IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 256kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100
IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 256kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100

478,97 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
QFP100
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Маркер: кабельний; папір; білий; ESO; UL94HB; 40мм; -40÷80°C
Маркер: кабельний; папір; білий; ESO; UL94HB; 40мм; -40÷80°C

119,11 грн

Висота:
40мм
Клас горючості:
UL94HB
Колір:
білий
Матеріал:
папір
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 13,3В; 31А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 13,3В; 31А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1

5,39 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
12В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AC; SMA
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 64МГц; A/E/USART,MSSP (SPI / I2C)
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 64МГц; A/E/USART,MSSP (SPI / I2C)

127,34 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); HLVD; Phase locked loop; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 16МГц
Недоступний
Резистор: thin film; 150Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 150Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 188А; Idm: 752А; 250Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 188А; Idm: 752А; 250Вт

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
144нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; Idm: 272А; 96,1Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; Idm: 272А; 96,1Вт

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 60А; Idm: 240А; 147Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 60А; Idm: 240А; 147Вт; TO220-3

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
24,8нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 23,4А; Idm: 148А; 27Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 23,4А; Idm: 148А; 27Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
59,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 16А; Idm: 64А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 16А; Idm: 64А; 35Вт; TO220FP

309,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 16А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 16А; 20Вт; TO220FP

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
5,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт

432,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
143нКл
Корпус:
TO247-3