Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 30А; 460Вт; TO268; 400нс

Немає в наявності
Код товару: IXTT30N50P
345,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTT30N50P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Заряд затвора: 70нКл
Корпус: TO268
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 460Вт
Струм стока: 30А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 400нс
Недоступний
Провід; Xtra Guard® 1; 5x2x26AWG; екранований,плівка AL-PET; ПВХ
Провід; Xtra Guard® 1; 5x2x26AWG; екранований,плівка AL-PET; ПВХ

253978,39 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Будова екрану:
екранований; плівка AL-PET
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,7пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,7пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 01005

0,92 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
7,7пФ
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 1210

55,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
IC: інтерфейс; рація; full duplex,RS422,RS485; 10Мбіт/с; SO14
IC: інтерфейс; рація; full duplex,RS422,RS485; 10Мбіт/с; SO14

832,49 грн

Вид об'єднаної схеми:
рація
Інтерфейс:
full duplex; RS422; RS485
Кількість передавачів:
1
Кількість приймачів:
1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 25В; X8R; ±20%; SMD; 0402; 178мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 25В; X8R; ±20%; SMD; 0402; 178мм

1,81 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
soft termination
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X8R
Недоступний
Реактор: феритовий; SMD; 47мкГн; 2,5А; R: 0,082Ом; ±20%; -55÷125°C
Реактор: феритовий; SMD; 47мкГн; 2,5А; R: 0,082Ом; ±20%; -55÷125°C

50,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
47мкГн
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 8,65В; 111,9А; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 8,65В; 111,9А; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C

1347,57 грн

Зворотна напруга макс.:
6,9В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
8,65В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 5А; Idm: 38А; 800мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 5А; Idm: 38А; 800мВт; SOT23

8,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,14А; Idm: 0,8А; 0,37Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,14А; Idm: 0,8А; 0,37Вт; SOT23

6,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,15А; Idm: 0,8А; SC70,SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,15А; Idm: 0,8А; SC70,SOT323

4,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 78А; Idm: 440А; 170Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 78А; Idm: 440А; 170Вт; D2PAK

137,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 20В; 1,4А; Idm: 9,2А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 20В; 1,4А; Idm: 9,2А

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,3Вт; SOT323

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 190А; Idm: 1440А; 250Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 190А; Idm: 1440А; 250Вт

318,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
249нКл
Корпус:
D2PAK-6