Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; 180Вт; TO263; 270нс

Немає в наявності
Код товару: IXTA12N65X2
172,33 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTA12N65X2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: ultra junction x-class
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 180Вт
Струм стока: 12А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 270нс
Недоступний
Реактор: керамічний; SMD; 0402; 9,5нГн; 500мА; R: 210мОм; ±2%
Реактор: керамічний; SMD; 0402; 9,5нГн; 500мА; R: 210мОм; ±2%

2,20 грн

Високосортність:
23
Допуск:
±2%
Індуктивність:
9,5нГн
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Транзистор: PNP; біполярний; 60В; 1А; 1Вт; TO39
Транзистор: PNP; біполярний; 60В; 1А; 1Вт; TO39

2403,07 грн

Корпус:
TO39
Монтаж:
THT
Напруги колектор-емітер:
60В
Поляризація:
біполярний
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 10м; 60ВDC; 60ВAC; 4А; Жили: 4; PUR
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 10м; 60ВDC; 60ВAC; 4А; Жили: 4; PUR

6937,41 грн

Довжина кабелю:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвих: 18ВDC; SIP7; THT; AM2D-Z; ККД: 80%
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвих: 18ВDC; SIP7; THT; AM2D-Z; ККД: 80%

404,21 грн

Вихідна напруга:
18В DC
Кількість виходів:
1
ККД:
80%
Корпус:
SIP7
Недоступний
Запобіжник: плавка; 6,99x32,7мм; скляний; THT; 125мА; 250ВAC; 318
Запобіжник: плавка; 6,99x32,7мм; скляний; THT; 125мА; 250ВAC; 318

326,91 грн

Виводи:
осьові
Вид запобіжника:
скляний
Вид упаковки:
розсипний
Відповідність стандарту:
CE; CSA; UL
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,2пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 16А; Idm: 100А; 3,4Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 16А; Idm: 100А; 3,4Вт; TO252

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD