Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 62А; Idm: 174А; 379Вт; TO247-4

Немає в наявності
Код товару: NTH4LN040N65S3H
676,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTH4LN040N65S3H
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 132нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 40мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 379Вт
Струм стока: 62А
Струм стоку в імпульсі: 174А
Тип транзистора: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 22А; 210Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 22А; 210Вт; ESD

434,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 2010; 0,75Вт; ±5%
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 2010; 0,75Вт; ±5%

5,70 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Недоступний
Черевики; Розмір: 46; зелений (темний); текстиль,замша
Черевики; Розмір: 46; зелений (темний); текстиль,замша

2371,39 грн

Колір:
зелений (темний)
Матеріал:
замша; текстиль
Модель:
водостійкий
Розмір:
46
Недоступний
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F

2,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; THT; 1.5A

218,58 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
2,5мм
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 512МбFLASH; QUAD SPI; 133МГц; 1,7÷2В; WSON8
IC: пам'ять FLASH; 512МбFLASH; QUAD SPI; 133МГц; 1,7÷2В; WSON8

503,04 грн

Вид пам’яті:
NOR
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
QUAD SPI
Корпус:
WSON8
Недоступний
Резистор: thin film; 21кОм; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: thin film; 21кОм; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм

9,00 грн

Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB

339,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс

391,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
54нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™

681,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,35мкКл
Корпус:
ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт

699,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
97нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220

295,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А

106,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD