1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; Idm: 32А; 179Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; Idm: 32А; 179Вт
Немає в наявності
Код товару: SIHB11N80E-GE3
173,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHB11N80E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 88нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 440мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 179Вт
Струм стока: 8А
Струм стоку в імпульсі: 32А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; Idm: 60А; 22Вт; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 40А; Idm: 60А; 22Вт; HSOP8

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
HSOP8
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний; екранований,прямий
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний; екранований,прямий

8367,84 грн

Ізоляційний матеріал проводу:
PE
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
синій
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

23,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3мкФ; 50В; X8L; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3мкФ; 50В; X8L; ±10%; SMD; 1210

26,99 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X8L
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,6пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

0,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
32,8нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт

54,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,1А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,1А; 0,36Вт; SOT23

30,41 грн

Вид каналу:
збіднений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В