Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; польовий; 600В; 13А; Idm: 36А

Немає в наявності
Код товару: IPDD60R190G7XTMA1
168,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPDD60R190G7XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 18нКл
Корпус: PG-HDSOP-10-1
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,19Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 76Вт
Струм стока: 13А
Струм стоку в імпульсі: 36А
Технологія: CoolMOS™ G7
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 40,9В; 25,4А; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 40,9В; 25,4А; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C

5946,62 грн

Зворотна напруга макс.:
32,7В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
40,9В
Недоступний
IC: PMIC; AC/DC switcher,контролер SMPS; InSOP-24D; flyback; 12Вт
IC: PMIC; AC/DC switcher,контролер SMPS; InSOP-24D; flyback; 12Вт

85,52 грн

Вид об'єднаної схеми:
AC/DC switcher; контролер SMPS
Вхідна напруга:
85...265В
Корпус:
InSOP-24D
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 910кОм; THT; 250мВт; ±1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 910кОм; THT; 250мВт; ±1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

28,63 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±1%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
32,8нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт

54,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; Idm: 72А; 30Вт; HSMT8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; Idm: 72А; 30Вт; HSMT8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
HSMT8