IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ32; 400mils

Немає в наявності
Код товару: AS7C31025B-12JIN
423,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS7C31025B-12JIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: SOJ32
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 3...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Ширіна мікросхеми: 400mils
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,9пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,9пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

4,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,9пФ
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPST-NO; 35А; макс.440ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPST-NO; 35А; макс.440ВAC

1782,19 грн

Виводи:
конектори
Використання:
фотоелектрика
Зовнішні розміри:
40x25x49,2мм
Клас герметичності:
IP40
Недоступний
Оптотріак; 4,42кВ; Uвих: 800В; симистор; SMD6; Ch: 1; IL4208; 35мкс
Оптотріак; 4,42кВ; Uвих: 800В; симистор; SMD6; Ch: 1; IL4208; 35мкс

0,00 грн

Вид виходу:
симистор
Вихідна напруга:
800В
Відповідність стандарту:
UL
Зворотна напруга макс.:
6В
Недоступний
Роз’єм: M8; вилка; штекерний; промислова; M8 ALTW; прямий; IP67
Роз’єм: M8; вилка; штекерний; промислова; M8 ALTW; прямий; IP67

389,00 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
1м
Електричний монтаж:
проводи
Недоступний
Резистор: thin film; 22кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 22кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; 25ppm/°C

0,70 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 47мкГн; 180мА; R: 1,64Ом; ±10%
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 47мкГн; 180мА; R: 1,64Ом; ±10%

8,24 грн

Високосортність:
15
Допуск:
±10%
Індуктивність:
47мкГн
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6,2А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6,2А; 1,6Вт; SuperSOT-6

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SuperSOT-6
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD