Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6,2А; 1,6Вт; SuperSOT-6

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDC637BNZ
35,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDC637BNZ
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: SuperSOT-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 41мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,6Вт
Струм стока: 6,2А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 4,99кОм; SMD; 01005; 31,25мВт; ±1%; 15В
Резистор: thick film; 4,99кОм; SMD; 01005; 31,25мВт; ±1%; 15В

0,38 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 250ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 250ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1206

7,98 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
22нФ
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 10мкФ; 35ВDC; SMD; C; 2312; ±20%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 10мкФ; 35ВDC; SMD; C; 2312; ±20%; -55÷125°C

31,93 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±20%
Ємність:
10мкФ
Корпус:
C
Недоступний
Резистор: thin film; 12Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 12Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

7,98 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Модуль: RF; передавач FM; FSK; 433,92МГц; SPI; 1,8÷3,6ВDC; 13дБм
Модуль: RF; передавач FM; FSK; 433,92МГц; SPI; 1,8÷3,6ВDC; 13дБм

200,20 грн

Вид модуля:
передавач FM
Вид модуляції:
FSK
Інтерфейс:
SPI
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: перемикальний; SMD; 35В; 0,1А; SC79,SOD523; Ufmax: 1В
Діод: перемикальний; SMD; 35В; 0,1А; SC79,SOD523; Ufmax: 1В

22,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
35В
Корпус:
SC79; SOD523
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 360кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 360кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

1,04 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 12,8А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 12,8А; 2,5Вт; SO8

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
49нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,4А; 350мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,4А; 350мВт; SOT23,TO236AB

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,68нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21,5А; 53,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21,5А; 53,5Вт; TO252

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD