IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 45нс; TSOP44 II; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY14B101LA-ZS45XIT
1454,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: CY14B101LA-ZS45XIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: NV SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,7...3,6В DC
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 45нс
Недоступний
Резистор: thin film; 274Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 274Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,05%

33,13 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 44,7÷49,4В; 9,3А; двоспрямована; SMB; P6SMB
Діод: TVS; 0,6кВт; 44,7÷49,4В; 9,3А; двоспрямована; SMB; P6SMB

4,94 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
40,2В
Діод: випрямний; SMD; 1кВ; 1А; 500нс; DO213AB,GL41; Ufmax: 1,3В
Діод: випрямний; SMD; 1кВ; 1А; 500нс; DO213AB,GL41; Ufmax: 1,3В

36,11 грн

Вид упаковки:
ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
1кВ
Кількість в наборі/упаковці:
1500шт.
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0402

0,26 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 6,5÷18ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 2А; PCB
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 6,5÷18ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 2А; PCB

1398,25 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
2А
Вхідна напруга:
6,5...18В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 5В; 12нс; SOJ32; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 5В; 12нс; SOJ32; паралельний

0,00 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ32
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 24кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 24кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; -55÷155°C

0,08 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

275,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM