IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 5В; 12нс; TSOP32; паралельний

Немає в наявності
Код товару: AS7C1024B-12TCNTR
257,86 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS7C1024B-12TCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: TSOP32
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 5В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12нс
Недоступний
Резистор: thick film; 12кОм; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 12кОм; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,29 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
12кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; NS; 150В
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; NS; 150В

0,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
IC: цифровий; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP14; 4,5÷5,5ВDC; 10нс
IC: цифровий; NOT; Ch: 6; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP14; 4,5÷5,5ВDC; 10нс

25,34 грн

Вид виходу:
відкритий дренаж
Вид затвору:
NOT
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
hex; 6
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 330мкФ; 10ВDC; SMD; V; 2924; ±20%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 330мкФ; 10ВDC; SMD; V; 2924; ±20%; TAJ

107,07 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
330мкФ
Корпус:
V
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,08 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікроконтролер STM8; 24МГц; LQFP48; 3÷5,5ВDC; Таймери 16бит: 3
IC: мікроконтролер STM8; 24МГц; LQFP48; 3÷5,5ВDC; Таймери 16бит: 3

0,00 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
AWU; Beeper; IWDG; WWDG
Інтерфейс:
CAN; I2C; SPI; UART; USART
Кількість каналів PWM:
4
Кількість перетворювачів A/D 10бит:
10
Недоступний
Резистор: thin film; 2,91кОм; SMD; 0402; 100мВт,130мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 2,91кОм; SMD; 0402; 100мВт,130мВт; ±0,1%

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; STSOP32

451,09 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD