IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 2,5÷3,6В; 55нс; MBGA48

Немає в наявності
Код товару: IS62WV6416BLL-55BLI-TR
155,22 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IS62WV6416BLL-55BLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: MBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 2,5...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 64Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 55нс
Резистор: вуглецевий; 3,3Ом; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,46x28мм
Резистор: вуглецевий; 3,3Ом; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,46x28мм

1,24 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Наконечник; викрутка; 2,5мм; 471°C; до паяльної станції
Наконечник; викрутка; 2,5мм; 471°C; до паяльної станції

974,41 грн

Застосування паяльного обладнання:
до паяльної станції
Модель:
з нагрівачем
Розміри наконечника:
2,5мм
Супутні товари:
MFR-1110; MFR-1351; MFR-2210; MFR-2211; MFR-2241; MFR-H1-SC2
Недоступний
Резистор: thick film; 267кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 267кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 1,74Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2CF
Резистор: thick film; 1,74Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2CF

2,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 330Ом; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 330Ом; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%; -55÷155°C

6,78 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48

259,76 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TFBGA48
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 200В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 200В; C0G (NP0); ±5%; SMD

9,88 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; TSOP32

181,20 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

269,26 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

453,62 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; SO32; 450mils

150,15 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

275,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2027,37 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 10нс; TSOP44 II; паралельний

1115,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C