IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 20нс; SOJ36; 400mils

Немає в наявності
Код товару: AS7C34098A-20JIN
646,86 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS7C34098A-20JIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: SOJ36
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 3...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 20нс
Ширіна мікросхеми: 400mils
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20А; Idm: 80А; 27Вт; TO262F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 20А; Idm: 80А; 27Вт; TO262F

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
TO262F
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805

5,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,5пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 267кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 267кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа"; кутовий; 7,5м; вилка; 30ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа"; кутовий; 7,5м; вилка; 30ВDC

2743,92 грн

Довжина кабелю:
7,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
TPE-S
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP68; IP69K
Провід; S/FTP; Cat 6; 4x2x23AWG; CCA; дріт; LSZH; білий; 100м
Провід; S/FTP; Cat 6; 4x2x23AWG; CCA; дріт; LSZH; білий; 100м

2430,31 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; пари екрановані фольгою AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
дріт
Вид жили:
Cca
Недоступний
Резистор: thin film; 2,29кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 2,29кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; 600mils

820,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP32
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP28

250,89 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
STSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; SOJ36

280,03 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 512kx18bit; 10ns; parallel; -40÷85°C

19288,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
512kx18bit
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 35нс; паралельний

232,51 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Структура пам'яті:
32Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний; 0÷70°C

2274,46 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28

251,52 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD