1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті SRAM - інтеграль. схеми
  6. Пристрої SRAM, паралельні

IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 20нс; TSOP44 II

IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 20нс; TSOP44 II
Немає в наявності
Код товару: AS7C34098A-20TIN
611,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS7C34098A-20TIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Мб SRAM
Робоча напруга: 3...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 256Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 20нс
Недоступний
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 4; гніздовий; промислова; прямий; IP67; 4А
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 4; гніздовий; промислова; прямий; IP67; 4А

779,90 грн

Alias:
MSB-T9
Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
гвинтовий затиск
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 220ВAC; SPST-NO; 40А; HF105F
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 220ВAC; SPST-NO; 40А; HF105F

176,13 грн

Виводи:
конектори
Електрична стійкість:
100000 цикли
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. напруга котушки:
286В AC
Недоступний
Резистор: thick film; 6,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 6,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CQ; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 2,4Ом; 1210; 500мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 2,4Ом; 1210; 500мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,20 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
2,4Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; CQ; 200В

0,57 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 50Вт; Uвх: 43÷160ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 10А
Перетворювач: DC/DC; 50Вт; Uвх: 43÷160ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 10А

7050,19 грн

Використання:
промисловість
Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
10А
Відповідність стандарту:
CE
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,2пФ
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс; TSOP44
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс; TSOP44

425,75 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ32; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ32; 0÷70°C

554,99 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP28; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP28; 0÷70°C

205,90 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

514,45 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ36; 400mils

529,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; SOJ44; паралельний

501,77 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 10нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 10нс; SOJ36; паралельний; 0÷70°C

357,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Корпус:
SOJ36
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C