Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 32А; 350Вт; TO268

Немає в наявності
Код товару: IXGT32N170
1076,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXGT32N170
Виробник: IXYS
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: високовольтний
Заряд затвора: 155нКл
Корпус: TO268
Монтаж: SMD
Напруга затвор - емітер: ±20В
Напруги колектор-емітер: 1,7кВ
Потужність розсіювання: 350Вт
Струм колектора: 32А
Струм колектора в імпульсі: 200А
Технологія: NPT
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 90нс
Час вимкнення: 920нс
Недоступний
IC: Ethernet switch; TQFP128; 10/100Base-T; 3,3В; ролик,cтрічка
IC: Ethernet switch; TQFP128; 10/100Base-T; 3,3В; ролик,cтрічка

645,59 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
MAC; PHY
Інтерфейс:
full duplex; half duplex; I2C; MDI; MDI-X; MII; SPI
Категорія Ethernet:
10/100Base-T
Недоступний
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C

0,07 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Сопло; до витяжки; ESD; Easy-Click; воронка; 100x230мм
Сопло; до витяжки; ESD; Easy-Click; воронка; 100x230мм

2681,83 грн

Застосування паяльного обладнання:
до витяжки
Модель:
ESD
Підключення:
Easy-Click
Розміри:
100x230мм
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,7А; Idm: -100А; 0,8Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,7А; Idm: -100А; 0,8Вт

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
PowerDI®5060-8
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 60А; 380Вт; TO268
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 60А; 380Вт; TO268

345,92 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
TO268
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263

179,93 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж

44,35 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,049мДж
Енергія включення:
0,081мДж
Заряд затвора:
9,2нКл
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK

148,89 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268

468,20 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO268
Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 28Вт; TO252; Eвикл: 0,09мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 28Вт; TO252; Eвикл: 0,09мДж

15,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,09мДж
Енергія включення:
0,12мДж
Заряд затвора:
14нКл
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268

790,68 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO268