Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 1,4А; 86Вт; DPAK,TO252AA; 900нс

Немає в наявності
Код товару: IXTY1R4N120P-TRL
122,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IXTY1R4N120P-TRL
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 24,8нКл
Корпус: DPAK; TO252AA
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 30В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 10,5Ом
Потужність розсіювання: 86Вт
Струм стока: 1,4А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 900нс
Недоступний
Вольтметр; цифровий,монтажний; ВDC: 0÷200мВ; на панель; защіпка
Вольтметр; цифровий,монтажний; ВDC: 0÷200мВ; на панель; защіпка

2487,33 грн

Вид вжитого дисплея:
LCD
Вимір:
напруги DC
Висота знаку:
11мм
Властивості вимірювальних приладів:
автоматична зміна поляризації; автоматичне обнулення; вибір місця для коми на дисплею; помір напруги з точки зору власного джерела живлення
Резистор: thin film; 1МОм; 0207; 1Вт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 1МОм; 0207; 1Вт; ±0,1%; -55÷155°C

29,84 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0207
Корпус - мм:
6123
Опір:
1мОм
Тримач мітчиків; Діапазон захвату: M3-M10; 85мм; сталь
Тримач мітчиків; Діапазон захвату: M3-M10; 85мм; сталь

971,24 грн

Діапазон захоплення:
M3-M10
Довжина:
85мм
Матеріал:
сталь
Тип інструмента:
тримач мітчиків
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 220нФ; 630ВDC; 310ВAC; THT; ±20%
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 220нФ; 630ВDC; 310ВAC; THT; ±20%

69,06 грн

Вид конденсатора:
X2
Допуск:
±20%
Ємність:
0,22мкФ
Зовнішні розміри:
26x7x16,5мм
Недоступний
Дисплей: TFT; 10,1"; 1280x800; Підсв: LED; Вим: 244x174x4,76мм
Дисплей: TFT; 10,1"; 1280x800; Підсв: LED; Вим: 244x174x4,76мм

6281,05 грн

Cенсорна панель:
ємкісний
Вид дисплея:
матриця IPS
Властивості дисплеїв:
multi-touch; широкий кут огляду
Діагональ екрану:
10,1"
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,33 грн

Alias:
KGM05ACG1H2R7BH
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 64А; 326Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 64А; 326Вт; автомобільна галузь

399,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
48,7нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,1А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,1А; 0,36Вт; SOT23

30,41 грн

Вид каналу:
збіднений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В