1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; 150В; 62А; 350Вт; D2PAK,TO263; 150нс

Транзистор: N-MOSFET; 150В; 62А; 350Вт; D2PAK,TO263; 150нс
Немає в наявності
Код товару: IXTA62N15P-TRL
152,05 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: IXTA62N15P-TRL
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 70нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 40мОм
Потужність розсіювання: 350Вт
Струм стока: 62А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 150нс
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 3x24AWG; неекранований; 300В; 30,5м
Провід; Alpha Essential C&C; 3x24AWG; неекранований; 300В; 30,5м

14766,24 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
UL 2576; VW-1
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 140В; 15,5А; односпрямована; ±5%; DO214AB; SMDJ
Діод: TVS; 3кВт; 140В; 15,5А; односпрямована; ±5%; DO214AB; SMDJ

28,19 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
120В
Недоступний
Резистор: thick film; 19,6Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 19,6Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; М12 "папа",М12 "мама"; прямий
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; М12 "папа",М12 "мама"; прямий

2699,57 грн

Engineering PN:
M12 Cable Assembly D-cod st/st m/f 1,0m
Довжина проводу:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
поліуретан термопластичний TPE-U
Кількість пін:
4
Connector: wire-board; female; data; Inom: 3A; 250V; PIN: 30; 2.54mm
Connector: wire-board; female; data; Inom: 3A; 250V; PIN: 30; 2.54mm

199,57 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
30
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 2200мкФ; 25ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 2200мкФ; 25ВDC; ±20%

150,79 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
18мм
Недоступний
Вентилятор: EC; центробіжній; 230ВAC; Ø175x69мм; кульковий; IP20
Вентилятор: EC; центробіжній; 230ВAC; Ø175x69мм; кульковий; IP20

0,00 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
центробіжній
Вид двигуна:
1-фазний
Вид підшипника:
кульковий
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 64А; 326Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 64А; 326Вт; автомобільна галузь

399,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
48,7нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,1А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,1А; 0,36Вт; SOT23

30,41 грн

Вид каналу:
збіднений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В