1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; 4,2А

Транзистор: N-MOSFET; 4,2А
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SSM6K403TU,LF(B
12,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 285
Код товару: SSM6K403TU,LF(B
Виробник: TOSHIBA
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 16,8нКл
Монтаж: SMD
Струм стока: 4,2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: metal strip; 130мОм; струмовий шунт,вимірювальний; SMD
Резистор: metal strip; 130мОм; струмовий шунт,вимірювальний; SMD

8,11 грн

Вид резистора:
вимірювальний; струмовий шунт
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Вимикач потужності; Полюси: 4; гвинтовий; Iном: 100А; 690ВAC; IP20
Вимикач потужності; Полюси: 4; гвинтовий; Iном: 100А; 690ВAC; IP20

11210,33 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
25кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60947-2
Додаткові функції:
регульований термічно
Електрична стійкість:
10000 цикли
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 64А; 326Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 64А; 326Вт; автомобільна галузь

399,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
48,7нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт

54,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,1А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,1А; 0,36Вт; SOT23

30,41 грн

Вид каналу:
збіднений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В