Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 62Вт; DFN8; автомобільна галузь

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: RH7G04CBKFRATCB
46,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 86
Код товару: RH7G04CBKFRATCB
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 19,1нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 5мОм
Потужність розсіювання: 62Вт
Струм стока: 40А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 2,94кОм; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 2,94кОм; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В

29,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 90Вт
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 90Вт

1163,20 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування; модульний
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
3,75А
Електричне під'єднування:
затискна рейка
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,8пФ
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 220нФ; 630ВDC; 305ВAC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 220нФ; 630ВDC; 305ВAC; THT; ±10%

51,95 грн

Вид конденсатора:
X2
Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Застосування конденсаторів:
між полюсами живлення
Недоступний
Діод: TVS; 15,2В; 22,4А; двоспрямована; 0,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 15,2В; 22,4А; двоспрямована; 0,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C

3974,92 грн

Зворотна напруга макс.:
12,2В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
15,2В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 0603

2,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Діод: зенера; 1,5Вт; 56В; DO41; 250нА; Ufmax: 1В
Діод: зенера; 1,5Вт; 56В; DO41; 250нА; Ufmax: 1В

1559,81 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
56В
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 64А; 326Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 64А; 326Вт; автомобільна галузь

399,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
48,7нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,1А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,1А; 0,36Вт; SOT23

30,41 грн

Вид каналу:
збіднений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В