Транзистор: N-MOSFET; 55В; 64А; 130Вт; DPAK,TO252AA; 30нс

Немає в наявності
Код товару: IXTY64N055T
114,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 350
Крок додавання: 350
Код товару: IXTY64N055T
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 37нКл
Корпус: DPAK; TO252AA
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 55В
Опір в стані провідності: 13мОм
Потужність розсіювання: 130Вт
Струм стока: 64А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 30нс
Недоступний
Двигун: DC; 2-фазний,біполярний,кроковий; 24ВDC; крок 0,9°; 1А
Двигун: DC; 2-фазний,біполярний,кроковий; 24ВDC; крок 0,9°; 1А

2872,53 грн

Вид двигуна:
2-фазний; біполярний; кроковий
Властивості двигунів:
крок 0,9°
Напруга живлення:
24В DC
Номінальний момент обертання:
0,23Нм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 450В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 450В; C0G (NP0); ±5%; SMD

3,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 15кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 15кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C

0,95 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.5mm; GKS-912; CuBe; 1.5N; plug-in
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.5mm; GKS-912; CuBe; 1.5N; plug-in

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
1,5мм
Довжина:
32мм
Недоступний
Резистор: thin film; 187кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 187кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

44,98 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thin film; 1,5кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 1,5кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%

2,34 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 12,4В; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1; 1.5SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 12,4В; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1; 1.5SMC

12,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
11,1В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 64А; 326Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 64А; 326Вт; автомобільна галузь

399,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
48,7нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,1А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 0,1А; 0,36Вт; SOT23

30,41 грн

Вид каналу:
збіднений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В