1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 40В; 60А; Idm: 180А; 62,5Вт

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 40В; 60А; Idm: 180А; 62,5Вт
Немає в наявності
Код товару: P60B4SN-5071
23,63 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Код товару: P60B4SN-5071
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 59нКл
Корпус: FB (TO252AA)
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 62,5Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 180А
Технологія: EETMOS3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 27Ом; 2512; 1Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 27Ом; 2512; 1Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C

9,44 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

0,39 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thick film; 4,28кОм; пригвинчуваний; SOT227B; 200Вт; ±5%
Резистор: thick film; 4,28кОм; пригвинчуваний; SOT227B; 200Вт; ±5%

5604,42 грн

Властивості резисторів:
необхідний додатковий радіатор
Допуск:
±5%
Корпус:
SOT227B
Монтаж:
пригвинчуваний
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 0,25Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SIP4
Перетворювач: DC/DC; 0,25Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SIP4

198,30 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
76мА
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Зовнішні розміри:
11,6x6x10,16мм
Конденсатор: танталовий; 22мкФ; 16ВDC; SMD; C; 2312; ±20%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 22мкФ; 16ВDC; SMD; C; 2312; ±20%; -55÷125°C

32,31 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
22мкФ
Корпус:
C
Корпус - дюйм:
2312
Недоступний
Резистор: thick film; 680Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 680Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,93 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
680Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 2Ом; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 1А
Резистор: thick film; 2Ом; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 1А

0,03 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
2Ом
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
DFN5
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 5А; Idm: 38А; 800мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 5А; Idm: 38А; 800мВт; SOT23

8,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,14А; Idm: 0,8А; 0,37Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,14А; Idm: 0,8А; 0,37Вт; SOT23

6,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,15А; Idm: 0,8А; SC70,SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,15А; Idm: 0,8А; SC70,SOT323

4,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SC70; SOT323