1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт
Немає в наявності
Код товару: P70LF4QN-5071
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: P70LF4QN-5071
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 38нКл
Корпус: LF (MO235B similar)
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 4,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 123Вт
Струм стока: 70А
Струм стоку в імпульсі: 210А
Технологія: EETMOS4
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Радіокнопка; EnOcean; 30м; Ch: 2; інтелігентний будинок
Радіокнопка; EnOcean; 30м; Ch: 2; інтелігентний будинок

2742,02 грн

Вид модуля:
безпровідний
Використання:
інтелігентний будинок
Дальність:
30м
Застосування - серія/виробник:
E-Design55
Недоступний
IC: супервізор; детектор напруги; open drain; 0,7÷6ВDC; USPN4
IC: супервізор; детектор напруги; open drain; 0,7÷6ВDC; USPN4

16,03 грн

Активний стан:
низьке
Вид виходу RESET:
open drain
Вид об'єднаної схеми:
детектор напруги
Властивості інтегральних мікросхем:
Manual Reset
Недоступний
Кристал; 20пФ; SMD; ESR: 50Ом; 11,4x4,7мм; 11,059МГц; -55÷125°C
Кристал; 20пФ; SMD; ESR: 50Ом; 11,4x4,7мм; 11,059МГц; -55÷125°C

0,00 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
20пФ
Монтаж:
SMD
Опір ESR:
50Ом
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; ±3÷18ВDC,6÷36ВDC; DIP8
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; ±3÷18ВDC,6÷36ВDC; DIP8

31,68 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
low power; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
3мВ
Діапазон напруги живлення:
± 3...18В DC; 6...36В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 13мОм; вимірювальний; 1Вт; 6,4x3,2x0,6мм
Резистор: thick film; 13мОм; вимірювальний; 1Вт; 6,4x3,2x0,6мм

0,00 грн

Вид резистора:
вимірювальний
Зовнішні розміри:
6,4x3,2x0,6мм
Опір:
13мОм
Потужність:
1Вт
Недоступний
Test probe: switching; 3A; Ø: 1.8mm; SKS-215; plastic; 0.45N
Test probe: switching; 3A; Ø: 1.8mm; SKS-215; plastic; 0.45N

885,71 грн

Type of test probe:
switching
Вигин пружини макс.:
5мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,8мм
Недоступний
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 14; Quickie; straight; THT
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 14; Quickie; straight; THT

55,12 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
14
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
48нКл