Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; польовий; 40В; 600А; Idm: 2кА; 830Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: MMIX1T600N04T2
1702,99 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MMIX1T600N04T2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 590нКл
Корпус: SMPD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 1,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 830Вт
Струм стока: 600А
Струм стоку в імпульсі: 2кА
Технологія: GigaMOS™; TrenchT2™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 100нс
IC: цифровий; защілка D; Ch: 8; CMOS; 2÷6ВDC; SMD; SO20-W; HC; HC
IC: цифровий; защілка D; Ch: 8; CMOS; 2÷6ВDC; SMD; SO20-W; HC; HC

38,65 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
защілка D
Кількість каналів:
8
Корпус:
SO20-W
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; THT; 1.5A

210,97 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
2,5мм
Недоступний
Резистор: thin film; 107Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 107Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

3,23 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 32МГц; TFBGA64; 1,8÷3,6ВDC; STM32L0
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 32МГц; TFBGA64; 1,8÷3,6ВDC; STM32L0

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; PdR; PoR; PVD; RTC; TRNG; watchdog
Інтерфейс:
I2C x2; LPUART; SPI x4; USART x2; USB
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвх: 99мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвх: 99мА

98,20 грн

Використання:
IoT; промисловість; телекомунікація
Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
42мА
Недоступний
Резистор: thin film; 63,4Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 63,4Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 487Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 487Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В

2,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 16А; Idm: 100А; 3,4Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 16А; Idm: 100А; 3,4Вт; TO252

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD