Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 650В; 20А; Idm: 90А

Немає в наявності
Код товару: STWA35N65DM2
338,95 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STWA35N65DM2
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 56,3нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 93мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 20А
Струм стоку в імпульсі: 90А
Технологія: MDmesh™ DM2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 128А; Idm: 512А; 150Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 128А; Idm: 512А; 150Вт

307,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
TO220-3
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 1.5A

152,05 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
3,1мм
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 128кБ; 16кБSRAM; TQFP64; 3÷3,6ВDC; DSPIC
IC: мікроконтролер dsPIC; 128кБ; 16кБSRAM; TQFP64; 3÷3,6ВDC; DSPIC

114,04 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
CLC x4; CRC; DMAC x4; PWM; watchdog
Інтерфейс:
CAN-FD; I2C x3; PMP; PWM; QEI x2; SENT x2; SPI x3; UART x3
Недоступний
Резистор: thin film; 1кОм; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 1кОм; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%

2,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 34,2÷37,8В; 8,4А; односпрямована; SMA; P4SMA
Діод: TVS; 0,4кВт; 34,2÷37,8В; 8,4А; односпрямована; SMA; P4SMA

3,86 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
30,8В
Корпус:
SMA
Недоступний
Резистор: thick film; 680мОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 680мОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В

0,46 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film (Nichrome); 2кОм; SMD; MicroMELF; 0102; ±1%
Резистор: thin film (Nichrome); 2кОм; SMD; MicroMELF; 0102; ±1%

1,29 грн

Допуск:
±1%
Корпус:
MicroMELF
Корпус - дюйм:
0102
Корпус - мм:
2211
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

446,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29,7нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP

110,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

800,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247