1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; польовий; 650В; 43А; Idm: 260А

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; польовий; 650В; 43А; Idm: 260А
Немає в наявності
Код товару: STW70N65DM6
703,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STW70N65DM6
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 125нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 40мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 450Вт
Струм стока: 43А
Струм стоку в імпульсі: 260А
Технологія: MDmesh™ DM6
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 1кОм; прецизійний; SMD; 2512; 1Вт; ±0,5%; 500В
Резистор: thick film; 1кОм; прецизійний; SMD; 2512; 1Вт; ±0,5%; 500В

0,00 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Недоступний
Screwdriver bit: Pozidriv®; PZ3; 1/4"; Overall len: 50mm
Screwdriver bit: Pozidriv®; PZ3; 1/4"; Overall len: 50mm

155,22 грн

Type of screwdriver bit:
Pozidriv®
Вид рукоятки:
F6,3mm
Загальна довжина:
50мм
Модель:
BiTorsion
Недоступний
Резистор: thick film; 2,8кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%; 25В
Резистор: thick film; 2,8кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%; 25В

0,32 грн

Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Кабель; 500мм; Fakra "папа",Fakra "мама"; прямий
Кабель; 500мм; Fakra "папа",Fakra "мама"; прямий

662,06 грн

Вживання - марка автомобіля:
універсальний
Вид кабелю:
RG174
Довжина кабелю:
0,5м
Колір роз'єму:
морської хвилі
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD

1,19 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1564,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
219нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

366,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 10А; Idm: 60А; 22Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 10А; Idm: 60А; 22Вт; TO220FP

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18,6нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 255Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 255Вт; TO220-3

165,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
95нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3,5А; Idm: 12А; 130Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3,5А; Idm: 12А; 130Вт; TO247

435,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13,7нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; Idm: 72А; 42,8Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; Idm: 72А; 42,8Вт; TO220F

87,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт

888,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
149нКл