1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; польовий; 40В; 16А; Idm: 171А

Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; польовий; 40В; 16А; Idm: 171А
Немає в наявності
Код товару: IAUC60N04S6N050HATMA1
35,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: IAUC60N04S6N050HATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 17нКл
Корпус: PG-TDSON-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 6,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 52Вт
Струм стока: 16А
Струм стоку в імпульсі: 171А
Технологія: OptiMOS™ 6
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® TRAY II CY; 12x14AWG; чорний; 0,6кВ,1кВ
Провід; ÖLFLEX® TRAY II CY; 12x14AWG; чорний; 0,6кВ,1кВ

1018,12 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Недоступний
Провід; H05VVC4V5-K; H05VVC4V5-K; 12G0,75мм2; ПВХ; сірий
Провід; H05VVC4V5-K; H05VVC4V5-K; 12G0,75мм2; ПВХ; сірий

485,94 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
H05VVC4V5-K
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
32,8нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; Idm: 72А; 30Вт; HSMT8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; Idm: 72А; 30Вт; HSMT8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
HSMT8