Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 19А; Idm: 76А; 64Вт

Немає в наявності
Код товару: BUK9Y65-100E,115
35,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BUK9Y65-100E,115
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 14нКл
Корпус: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 63,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 64Вт
Струм стока: 19А
Струм стоку в імпульсі: 76А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 2,49МОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%
Резистор: thick film; 2,49МОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%

0,16 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -80А; 88Вт; DPAK,TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -80А; 88Вт; DPAK,TO252

31,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Недоступний
Резистор: thick film; 64,9Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 64,9Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 447÷494В; 2,4А; двоспрямована; SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 447÷494В; 2,4А; двоспрямована; SMC

52,58 грн

Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Корпус:
SMC
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
447...494В
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; THT; 1.5A

250,25 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
9,2мм
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 45А; Idm: 288А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 45А; Idm: 288А

476,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
106нКл
Корпус:
TO247
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 4mm; GKS-113; CuBe; 1.5N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 4mm; GKS-113; CuBe; 1.5N; push-in; 30mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
4мм
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70,8нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,9нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669