Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 110А; 517Вт; TO263; 64нс

Немає в наявності
Код товару: IXTA110N12T2
173,59 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTA110N12T2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: thrench gate power mosfet
Заряд затвора: 0,12мкКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 120В
Опір в стані провідності: 14мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 517Вт
Струм стока: 110А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 64нс
Недоступний
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±10%; SG73; 200В
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±10%; SG73; 200В

9,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 100МГц; LQFP64; 1,7÷3,6ВDC; STM32F4
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 100МГц; LQFP64; 1,7÷3,6ВDC; STM32F4

138,11 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; DSP; FPU; PdR; PoR; PVD; PWM; RTC; watchdog
Інтерфейс:
I2C x3; SPI x3; USART x3
Недоступний
Резистор: thick film; 66,5кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 66,5кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CQ; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Трансформатор: мережевий; 160ВА; 230ВAC,400ВAC; 115Вx2; гвинтовий
Трансформатор: мережевий; 160ВА; 230ВAC,400ВAC; 115Вx2; гвинтовий

3531,43 грн

Виводи:
клемми push-in
Вторинна напруга 1:
115В x2
Додаткові функції:
відгалуження первинної обмотки ±15 В; гальванічне відокремлення
Зовнішні розміри:
96x107x115мм
Недоступний
Резистор: thin film; 100Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 100Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%

65,26 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 361Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 361Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В

1,03 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669