1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 9А; Idm: 55А; 500Вт; D3PAK

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 9А; Idm: 55А; 500Вт; D3PAK
Немає в наявності
Код товару: APT14M100S
500,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT14M100S
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 0,12мкКл
Корпус: D3PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 880мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 500Вт
Струм стока: 9А
Струм стоку в імпульсі: 55А
Технологія: POWER MOS 8®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 1024кБ; 200МГц; 2,2÷3,6ВDC; SMD; LFBGA169
IC: мікроконтролер PIC; 1024кБ; 200МГц; 2,2÷3,6ВDC; SMD; LFBGA169

832,49 грн

Вид архітектури:
32бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMAC x34; GPU; HLVD; PoR; PPS; RNG; RTCC; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 35ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 35ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1206

3,48 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвх: 116мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвх: 116мА

291,43 грн

Використання:
IoT; промисловість
Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
83мА
Вхідна напруга:
4,5...36В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7нФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7нФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD

1,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 100В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 100В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 0805

0,61 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Ємність:
33пФ
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 600В; 3А; 1,5мкс; SMB; Ufmax: 1,15В
Діод: випрямний; SMD; 600В; 3А; 1,5мкс; SMB; Ufmax: 1,15В

25,34 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
SMB
LED; 5мм; зелений; 25÷80мкд; 20°; Голівка: опукла; 2÷2,5ВDC
LED; 5мм; зелений; 25÷80мкд; 20°; Голівка: опукла; 2÷2,5ВDC

27,88 грн

Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
5мм
Довжина хвилі λd:
568нм
Кількість виводів:
2
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
32,8нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; Idm: 72А; 30Вт; HSMT8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; Idm: 72А; 30Вт; HSMT8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
HSMT8