Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 12,1А; Idm: 76А; 139Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: FQB19N20CTM
70,96 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FQB19N20CTM
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 53нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 0,17Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 139Вт
Струм стока: 12,1А
Струм стоку в імпульсі: 76А
Технологія: QFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 6,3В; X7R; ±10%; SMD; 0201

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7нФ
Недоступний
Гніздо; DII; на шину DIN; 63А; 500ВAC; Полюси: 1
Гніздо; DII; на шину DIN; 63А; 500ВAC; Полюси: 1

325,65 грн

Кількість полюсів:
1
Монтаж:
на шину DIN
Номінальна напруга:
500В AC
Номінальний струм:
63А
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 3,14÷3,45ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SIP7; PCB
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 3,14÷3,45ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SIP7; PCB

289,53 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
303мА
Вхідна напруга:
3,14...3,45В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Connector: RJ11; socket; data transfer; PIN: 4; Cat 3; shielded
Connector: RJ11; socket; data transfer; PIN: 4; Cat 3; shielded

86,80 грн

Connector family:
data transfer
Висота профілю:
16,2мм
Електричний монтаж:
THT
Категорія Ethernet:
Cat 3
Конденсатор: поліестровий; 0,47мкФ; 5мм; 7,2x2,5x6,5мм
Конденсатор: поліестровий; 0,47мкФ; 5мм; 7,2x2,5x6,5мм

13,30 грн

Ємність:
0,47мкФ
Растр виводів:
5мм
Розміри корпусу:
7,2x2,5x6,5мм
Тип конденсатора:
поліестровий
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2÷6ВDC; Uвих: 1,2ВDC; 0,6А; USP-6C
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2÷6ВDC; Uвих: 1,2ВDC; 0,6А; USP-6C

82,36 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
1,2В DC
Вихідний струм:
0,6А
15пФ; 300ВDC; THT; ±5%; 4,4мм; Вив: радіальні; -55÷125°C
15пФ; 300ВDC; THT; ±5%; 4,4мм; Вив: радіальні; -55÷125°C

171,69 грн

Виводи:
радіальні
Довжина відводів:
4,4мм
Допуск:
±5%
Ємність:
15пФ
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669