Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10,1А; 83Вт; PG-VSON-4

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10,1А; 83Вт; PG-VSON-4
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: IPL65R420E6AUMA1
Price: 116.57 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IPL65R420E6AUMA1

116,57 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

IPL65R420E6AUMA1

Виробник:

INFINEON TECHNOLOGIES

Вид каналу:

збагачений

Корпус:

PG-VSON-4

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

650В

Опір в стані провідності:

0,42Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

83Вт

Струм стока:

10,1А

Технологія:

CoolMOS™

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
105нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 17,1А; 31,25Вт

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
17нКл

Корпус:
DPAK; TO252

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 12,8А; 2,5Вт; SO8

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
49нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,4А; 350мВт; SOT23,TO236AB

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
0,68нКл

Корпус:
SOT23; TO236AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21,5А; 53,5Вт; TO252

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
7нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 14А; 48Вт; DPAK

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
40нКл

Корпус:
DPAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 11А; 125Вт; D2PAK

189,43 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD