1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 300В; 36А; 300Вт; TO263

Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 300В; 36А; 300Вт; TO263
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTA36N30P
274,33 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTA36N30P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 70нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 300В
Опір в стані провідності: 0,11Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 36А
Технологія: PolarHT™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 250нс
Недоступний
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,15А; Idm: 0,77А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,15А; Idm: 0,77А; 0,5Вт

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,4А; 0,5Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,4А; 0,5Вт; SOT323

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 42Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 42Вт; PG-TO252-3

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3

124,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8

84,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В