1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 0,2А; 33Вт; TO252; 1,6мкс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 0,2А; 33Вт; TO252; 1,6мкс
Немає в наявності
Код товару: IXTY02N120P
74,76 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 350
Крок додавання: 350
Код товару: IXTY02N120P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 75Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33Вт
Струм стока: 0,2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 1,6мкс
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; THT; 3A; 250V

543,59 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
18,2мм
Конденсатор: керамічний; 10мкФ; 10В; 10ВDC; Y5V; -20÷80%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 10мкФ; 10В; 10ВDC; Y5V; -20÷80%; SMD; 1206

2,48 грн

Діелектрик:
Y5V
Допуск:
-20...80%
Ємність:
10мкФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 8,2Ом; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 8,2Ом; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
8,2Ом
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 44; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 44; THR,THT; 3A

183,73 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
14,4мм
Недоступний
Резистор: thick film; 5кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 5кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; 25В; -55÷125°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: силовий; Q@50Гц: 67кРП; 3,64кВAC; 18,4А; 16,1мкФ
Конденсатор: силовий; Q@50Гц: 67кРП; 3,64кВAC; 18,4А; 16,1мкФ

0,00 грн

Виводи:
болтове; електричні ізолятори
Ємність:
16,1мкФ
Застосування конденсаторів:
підвищення коефіцієнта потужності
Реактивна потужність:
67кРП
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,42 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7нФ
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А
Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 25В; 60А

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669