1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,5кВ; 3А; 250Вт; TO263; 900нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,5кВ; 3А; 250Вт; TO263; 900нс
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTA3N150HV
704,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTA3N150HV
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Заряд затвора: 38,6нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1,5кВ
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 3А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 900нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,5пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,5пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

4,82 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,5пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 158Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 158Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В; -55÷155°C

29,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 378А; Idm: 900А; 100Вт; DFNW5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 378А; Idm: 900А; 100Вт; DFNW5

301,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
128нКл
Корпус:
DFNW5
Недоступний
Діод: перемикальний; SMD; 35В; 0,1А; SC79,SOD523; Ufmax: 1В
Діод: перемикальний; SMD; 35В; 0,1А; SC79,SOD523; Ufmax: 1В

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
35В
Корпус:
SC79; SOD523
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 5,9кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B
Резистор: thick film; 5,9кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B

1,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Tap: inch; UNS 1/4"; right hand thread; 36; L: 56mm; initial; 6mm
Tap: inch; UNS 1/4"; right hand thread; 36; L: 56mm; initial; 6mm

290,80 грн

Type of tap:
дюймове
Вид різьблення:
права
Вид рукоятки:
квадрат; ручний
Використання інструментів:
для крізних отворів; для некрізних отворів
Недоступний
Резистор: thin film; 51Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В
Резистор: thin film; 51Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В

0,70 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8