1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 164А; Idm: 656А; 263Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 164А; Idm: 656А; 263Вт
Немає в наявності
Код товару: FDP045N10A-F102
250,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDP045N10A-F102
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 54нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 4,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 263Вт
Струм стока: 164А
Струм стоку в імпульсі: 656А
Тип транзистора: N-MOSFET
Транзистор: NPN x2; біполярний; 65В; 0,1А; 200мВт
Транзистор: NPN x2; біполярний; 65В; 0,1А; 200мВт

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
65В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт

109,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Недоступний
Фільтр: цифровий; низькочастотний; SO8; 0,3МГц
Фільтр: цифровий; низькочастотний; SO8; 0,3МГц

895,84 грн

Вид фільтру:
низькочастотний
Гранична частота:
0,3МГц
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 24В; 45А; односпрямована; ±5%; DO214AB; SZ1.5SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 24В; 45А; односпрямована; ±5%; DO214AB; SZ1.5SMC

29,14 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
20,5В
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 3N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 3N; push-in; 30mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
3мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 250В; X7T; ±10%; THT; 5мм; 5,5x5x4мм
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 250В; X7T; ±10%; THT; 5мм; 5,5x5x4мм

8,55 грн

Діелектрик:
X7T
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Діод: зенера; 5Вт; 10В; SMD; 25мкА
Діод: зенера; 5Вт; 10В; SMD; 25мкА

1258,87 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
10В
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 96А; 480Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 96А; 480Вт; TO247-3

321,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 60А; 320Вт; TO220AB; 95нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 60А; 320Вт; TO220AB; 95нс

530,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
50нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3А; 125Вт; TO220AB; 24нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3А; 125Вт; TO220AB; 24нс

227,45 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
1,07мкКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 52А; 960Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 52А; 960Вт; TO247-3

727,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
113нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 15А; 290Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 15А; 290Вт; ISOPLUS247™

1766,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
197нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 125Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 125Вт; TO220

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 350мВт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 350мВт; TO92

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В