Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 100Вт; DPAK; ESD

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 100Вт; DPAK; ESD
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD25NF10LT4
Price: 39.91 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: STD25NF10LT4

39,91 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

STD25NF10LT4

Виробник:

STMicroelectronics

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Корпус:

DPAK

Модель:

ESD

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±16В

Напруга сток-джерело:

100В

Опір в стані провідності:

40мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

100Вт

Струм стока:

25А

Технологія:

SuperMesh™

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
5нКл

Корпус:
MPT3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 350мА; Idm: 1А; 2,5Вт; TO252

38,01 грн

Вид каналу:
збіднений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 43А; 234Вт; автомобільна галузь

304,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
32,8нКл

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 230мА; Idm: 1,3А; 1,6Вт

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT89-3

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOT223

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOT89

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; Idm: 72А; 30Вт; HSMT8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
39нКл

Корпус:
HSMT8